电磁场与电磁波公式整理
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- 勘误:电阻的公式是 R=σSl
场论与电磁模型
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散度定理:∫V∇⋅Adv=∮sAds
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斯托克斯定理:∫S∇×A⋅ds=∮CA⋅dl
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矢量恒等式:∇⋅(E×H)=H⋅(∇×E)−E⋅(∇×H)
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球坐标
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哈密尔顿算子:∇=r^∂r∂+θ^r1∂θ∂+ϕ^rsinθ1∂ϕ∂
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梯度:∇u=r^∂r∂u+θ^r1∂θ∂u+ϕ^rsinθ1∂ϕ∂u
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散度:∇⋅A=r21∂r∂(r2Ar)+rsinθ1∂θ∂(sinθAθ)+rsinθ1∂ϕ∂(Aϕ)
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旋度:∇×A=r2sinθ1∣∣∣∣∣∣r^∂r∂Arrθ^∂θ∂rAθrsinθϕ^∂ϕ∂rsinθAϕ∣∣∣∣∣∣
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拉普拉斯算子:∇2u=r2sinθ1[sinθ∂r∂(r2∂r∂u)+∂θ∂(sinθ∂θ∂u)+r2sinθ1∂ϕ2∂2u]
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圆柱坐标
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哈密尔顿算子:∇=ρ^∂ρ∂+ϕ^ρ1∂ϕ∂+z^rsinθ1∂z∂
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梯度:∇u=ρ^∂ρ∂u+ϕ^ρ1∂ϕ∂u+z^rsinθ1∂z∂u
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散度:∇⋅A=ρ1∂ρ∂(ρAρ)+ρ1∂ϕ∂Aϕ+∂z∂Az
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旋度:∇×A=ρ1∣∣∣∣∣∣ρ^∂ρ∂Aρρϕ^∂ϕ∂ρAϕz^∂z∂Az∣∣∣∣∣∣
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拉普拉斯算子:∇2u=ρ1∂ρ∂(ρ∂ρ∂u)+ρ21∂ϕ2∂2u+∂z2∂2u
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本构参数
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光是电磁波(光速):c=ε0μ01=3×108 (m/s)
静电场
- 散度定理
∫v∇⋅Adv=∮SA⋅ds
- 斯托克斯定理
∫S∇×A⋅ds=∮CA⋅dl
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静电学基本公理
微分形式:
∇⋅E=ε0ρ
∇×E=0
积分形式:
∮SE⋅ds=ε0Q
∮CE⋅dl=0
- 圆环轴线上的电场强度
E=z^4πε0(z2+a2)3/2Qz
- 无限长线电荷的电场强度
E=ar2πε0rρl
- 电场强度与电位的关系
E=−∇V
- 分布电荷的电位
V=4πε0Rq
- 多电荷产生的电位
V=4πε01k=1∑n∣R−Rk′∣qk
- 导体表面的边界条件
Et=0
En=ε0ρs
- 极化电荷密度
- 电通密度(电位移)
D=ε0E+P
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静电场的边界条件
切向分量
E1t=E2t
法向分量
an2⋅(D1−D2)=ρs
- 电容器
C=VQ
- 同轴线电缆的电容
C=VQ=ln(ab)2πεL
- 部分电容
Cii=j=1∑nβij
Cij=−βij,i=j
- 静电场的能量
We=21k=1∑NQkVk
We=21∫V′ρVdv
场量表示:
We=21∫V′D⋅Edv
- 能量密度
we=21D⋅E=21εE2
静电场问题的解
- 泊松方程
∇2=−ερ
∂x2∂2V+∂y2∂2V+∂z2∂2V=ερ(V/m2)
- 拉普拉斯方程
∇2V=0
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唯一性定理:满足给定边界条件的泊松方程(拉普拉斯方程是特例)的解唯一
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镜像法:这种利用合适的镜像电荷代替边界面,代替正规的求解泊松方程和拉普拉斯方程的方法叫做镜像法。
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分离变量法
(1) 边界条件
(2) 色散条件:kx2+ky2+kz2=0
(3) 方程X′′(x)+kx2X(x)=0的解
稳恒电流与静磁场
- (体)电流密度
J=Nqv=ρv
- 总电流
I=∫SJ⋅ds=dtdQ
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欧姆定律(本构关系2)
J=σE
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电阻
R=σSl
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静磁学的两个基本公理
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微分形式 |
积分形式 |
磁通连续性原理 |
∇⋅B=0 |
∮SB⋅ds=0 |
安培环路定律 |
∇×B=μ0J |
∮SB⋅dl=μ0 |
- 矢量磁位与磁通密度的关系
B=∇×A
- 矢量旋度的旋度公式
∇×∇×A=∇(∇⋅A)−∇2A
- 矢量泊松方程
∇2A=−μ0J
- 矢量磁位
A=4πμ0∫V′RJdv′
- 磁通量
Φ=Φ=∫SB⋅ds∫S(∇×A)⋅ds=∮CA⋅dl
- 毕奥-萨伐尔定律
B=4πμ0∫V′R2J′×R^dv′=4πμ0I∮C′R2dl′×R^(线电流)=4πμ0∫SR2Js′×R^ds(面电流)
- 磁偶极子
A=ϕ^4R2μ0Ib2sinθ=4πR2μ0m×R^
- 磁场强度
H=μ0B−M=μ1B
- 安培环路定律
积分形式:微分形式:∮CH⋅dl=I∇×H=J
- 本构关系3
B=μ0(1+χm)H=μ0μrH=μH
- 静磁场的边界条件
B法向连续:H切向不连续:B1n=B2nn^×(H1−H2)=Js
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自感
(1) 对于给定的几何形状选择适当的坐标系。
(2) 假设导线中的电流为I。
(3) 如果存在对称性,就根据安培环路定理,由I求B; 如果不存在对称性,就必须用毕奥-萨伐定律求B。
(4) 用积分方法,由B求出每一圈所交链的磁通中Φ=∫SB⋅ds。其中S为面积,在该面积上B存在且与假设的电流交链。
(5) 用磁通量Φ中乘以匝数,得到回路的磁链Λ。
(6) 通过求比率L=IΛ, 从而求出自感L。
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静磁场的能量
Wm=21j=1∑Nk=1∑NLjkIjIk=21k=1∑NIkΦk
场量表示:
Wm=21∫V′A⋅Jdv′=21∫V′H⋅Bdv′
- 磁能密度
wm=21H⋅B=2μB2=21μH2
时变电磁场
- 法拉第电磁感应定律
积分形式:微分形式:∮CE⋅dl=−∫s∂t∂B⋅ds∇×E=−∂t∂B
- 连续性方程
∇⋅J=−∂t∂ρ
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麦克斯韦方程
意义 |
微分形式 |
积分形式 |
法拉第定律 |
∇×E=−∂t∂B |
∮CE⋅dl=−∂t∂Φ=−∫s∂t∂B⋅ds |
安培环路定律 |
∇×H=J+∂t∂D |
∮CH⋅dl=∫s(J+∂t∂D)⋅ds |
高斯定理(导出) |
∇⋅D=ρ |
∮sD⋅ds=∫VρdV=Q |
磁通连续性原理(导出) |
∇⋅B=0 |
∮SB⋅ds=0 |
电流连续性方程 |
∇⋅J=−∂t∂ρ |
∮sJ⋅s=−∫V∂t∂ρdV |
洛伦兹力方程 |
F=qv×B |
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本构关系
DBJ=εE=μH=σE
- 限定形式的麦克斯韦方程组
∇×E=−μ∂t∂H∇×H=J+ε∂t∂E∇⋅E=ερ∇⋅H=0
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电磁边界条件
切向分量(分界面上E的切向分量连续;有面电流时,H的切向分量不连续)
n^×(E1−E2)n^×(H1−H2)=0=Js
法向分量
n^⋅(D1−D2)n^⋅(B1−B2)=ρs=0
- 坡印廷定理------在任意时刻流入闭合面的总功率,等于由这个闭合面所包围的体积内电场储能和磁场储能的增加率与损耗的欧姆功率之和。
−∮s(E×H)⋅dS=∫V[∂t∂(21B⋅H)+∂t∂(21D⋅E)+J⋅E]dV=∂t∂∫V(21B⋅H+21D⋅E)dV+∫VJ⋅EdV
一般介质的坡印廷定理
−∮s(E×H)⋅dS=∫V(H⋅∂t∂B+E⋅∂t∂D+J⋅E)dV
对于电场和磁场能量不增加的系统,即
−∮sS⋅ds=P=I2R
- 坡印廷矢量
S=E×H
- 场量复数形式E˙(x,y,z)与瞬时值E(x,y,z,t)的互转
E(x,y,z,t)=ℜ[E˙(x,y,z)ejωt]
- 时谐麦克斯韦方程组
∇×E=−jωμH∇×H=J+jωεE∇⋅E=ερ∇⋅H=0∇⋅J=−jωρ
- 亥姆霍兹方程(波数k=ωμε)
∇2E+ω2μεE=0
平面电磁波
- 无源波动方程
∇2E−με∂t2∂2E=0∇2H−με∂t2∂2H=0
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平面电磁波基本概念
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波阻抗:η=εμ=kωμ=η0εrμr(本征阻抗η0=ε0μ0=120π)
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相速:vp=kω=με1=λf
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波长:λ=k2π
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波数:k=ωμε=λ2π
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频率:f=T1=2πω
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复坡印廷矢量
S=21E×H∗=21x^E0e−jkz×y^H0∗ejkz=21z^η∣E0∣2=z^2ηE0m2
对于无耗介质,它的实部为一周期内坡印廷矢量的平均值;如果媒质有损耗,复波印廷矢量将会是一个复数矢量,它的实部恰好等于电磁波在一个周期内的平均功率
Sav=ℜ[21E×H∗]
- 任意方向传播的均匀电磁波
E=E0e−jk⋅rH=η1k^×Ek^⋅E=0k^⋅H=0
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导电介质中平面电磁波的基本概念
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复介电常数:εc=ε−jωσ=ε(1−jωεσ)(损耗角正切:ωεσ)
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衰减常数:α=ω2με(1+(ωεσ)2−1)
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相位常数:β=ω2με(1+(ωεσ)2+1)
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波阻抗:ηc=εcμ=εμ(1−jωεσ)−1/2=∣ηc∣ejθ
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介质及其常数
介质类型 |
良电介质 |
不良导体 |
良导体 |
损耗角正切ωεσ |
≈0 |
≈1 |
≫1 |
衰减常数α |
2σεμ |
α=ω2με(1+(ωεσ)2−1) |
2ωμσ |
相位常数β |
ωμε |
β=ω2με(1+(ωεσ)2+1) |
2ωμσ |
波阻抗η |
εμ |
ηc=εcμ |
σωμejπ/4=2σωμ(1+j) |
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集肤深度(振幅衰减到表面处的e1)
δ=α1=ωμσ2
由振幅比例计算深度
l=α1ln∣E∣∣E0∣
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良导体中的复坡印廷矢量
S=21E×H∗=z^21∣E0∣2ωμσej4πe−2αz
z=0此处的平均电磁功率密度,即导体内的传导电流造成的热损耗的时间平均值
Sav∣z=0=P=z^21∣E0∣22ωμσ
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极化类型
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线极化:ϕx−ϕy=kπ
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圆极化:Exm=Eym=Em, ϕx−ϕy=±2π
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椭圆极化:Ex和Ey及ϕx和ϕy为任意关系
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极化旋向(迎着来波方向用X手螺旋)
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理想导体垂直入射------驻波
入射波、反射波、合成波
Ei=x^Eioe−jkzEr=−x^EioejkzE1=−x^2jEiosin(k1z)
理想导体垂直入射参数与性质
Eio+Ero=0Γ=EioEro=−1
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理想介质垂直入射------行驻波
入射波、反射波、透射波、合成波
Ei=x^Eioe−jk1zEr=x^ΓEioejk1zEt=x^TEioe−jk2zE1=x^Eio(T e−jkz+j2Γsin(k1z))
理想介质垂直入射参数与性质
Γ=EioEro=η2+η1η2−η1T=EioEto=η2+η12η2
驻波比
S=EminEmax=1−∣Γ∣1+∣Γ∣
平均功率密度矢量
Sav,i=z^2η1Eio2Sav,r=−∣Γ∣2⋅Sav,iSav,1=(1−∣Γ∣2)⋅Sav,iSav,t=η2η1⋅∣T∣2Sav,i
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平面电磁波的斜入射(暂略)