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电磁场与电磁波公式整理

电磁场与电磁波公式整理

  1. 以下是电磁场与电磁波的公式整理,如有错误欢迎在评论区指出。
  2. 电子版见👉笔记整理部分电磁场与电磁波整理, 后续增减添补仅在电子PDF版中作修改,此处不再做改动。 博客网站版截止更新至v1.1版本。
  3. 勘误:电阻的公式是 R=lσSR=\frac{l}{\sigma S}

场论与电磁模型

  1. 散度定理:VAdv=sAds\int_V\nabla\cdot\boldsymbol{A}\, \mathrm{d}v=\oint_s \boldsymbol{A}\, \mathrm{d}\boldsymbol{s}

  2. 斯托克斯定理:S×Ads=CAdl\int_{S} \nabla \times \boldsymbol{A} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{s}=\oint_{C} \boldsymbol{A} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{l}

  3. 矢量恒等式:(E×H)=H(×E)E(×H)\nabla\cdot(\boldsymbol{E}\times \boldsymbol{H})=\boldsymbol{H}\cdot (\nabla\times \boldsymbol{E})-\boldsymbol{E}\cdot(\nabla\times \boldsymbol{H})

  4. 球坐标

    • 哈密尔顿算子:=r^r+θ^1rθ+ϕ^1rsinθϕ\nabla=\hat{\boldsymbol{r}} \frac{\partial}{\partial r}+\hat{\boldsymbol{\theta}} \frac{1}{r} \frac{\partial}{\partial \theta}+\hat{\boldsymbol{\phi}} \frac{1}{r \sin \theta} \frac{\partial}{\partial \phi}

    • 梯度:u=r^ur+θ^1ruθ+ϕ^1rsinθuϕ\nabla u=\hat{\boldsymbol{r}}\frac{\partial u}{\partial r}+\hat{\boldsymbol{\theta}}\frac{1}{r}\frac{\partial u}{\partial \theta}+\hat{\boldsymbol{\phi}}\frac{1}{r\sin \theta}\frac{\partial u}{\partial \phi}

    • 散度:A=1r2(r2Ar)r+1rsinθ(sinθAθ)θ+1rsinθ(Aϕ)ϕ\nabla\cdot \boldsymbol{A} =\frac{1}{r^2}\frac{\partial(r^2 A_r)}{\partial r}+\frac{1}{r\sin\theta}\frac{\partial(\sin \theta A_\theta)}{\partial \theta}+\frac{1}{r\sin\theta}\frac{\partial(A_\phi)}{\partial \phi}

    • 旋度:×A=1r2sinθr^rθ^rsinθϕ^rθϕArrAθrsinθAϕ\nabla\times\boldsymbol{A}=\frac{1}{r^{2} \sin \theta}\left|\begin{array}{ccc}\hat{\boldsymbol{r}} & r \hat{\boldsymbol{\theta}} & r \sin \theta \hat{\boldsymbol{\phi}} \\ \frac{\partial}{\partial r} & \frac{\partial}{\partial \theta} & \frac{\partial}{\partial \phi} \\ A_{r} & r A_{\theta} & r \sin \theta A_{\phi}\end{array}\right|

    • 拉普拉斯算子:2u=1r2sinθ[sinθr(r2ur)+θ(sinθuθ)+1r2sinθ2uϕ2]\nabla^{2} u=\frac{1}{r^{2} \sin \theta}\left[\sin \theta \frac{\partial}{\partial r}\left(r^{2} \frac{\partial u}{\partial r}\right)+\frac{\partial}{\partial \theta}\left(\sin \theta \frac{\partial u}{\partial \theta}\right)+\frac{1}{r^{2} \sin \theta} \frac{\partial^{2} u}{\partial \phi^{2}}\right]

  5. 圆柱坐标

    • 哈密尔顿算子:=ρ^ρ+ϕ^1ρϕ+z^1rsinθz\nabla=\hat{\boldsymbol{\rho}} \frac{\partial}{\partial \rho}+\hat{\boldsymbol{\phi}} \frac{1}{\rho} \frac{\partial}{\partial \phi}+\hat{\boldsymbol{z}} \frac{1}{r \sin \theta} \frac{\partial}{\partial z}

    • 梯度:u=ρ^uρ+ϕ^1ρuϕ+z^1rsinθuz\nabla u=\hat{\boldsymbol{\rho}} \frac{\partial u}{\partial \rho}+\hat{\boldsymbol{\phi}} \frac{1}{\rho} \frac{\partial u}{\partial \phi}+\hat{\boldsymbol{z}} \frac{1}{r \sin \theta} \frac{\partial u}{\partial z}

    • 散度:A=1ρ(ρAρ)ρ+1ρAϕϕ+Azz\nabla\cdot \boldsymbol{A} =\frac{1}{\rho} \frac{\partial\left(\rho A_{\rho}\right)}{\partial \rho}+\frac{1}{\rho} \frac{\partial A_{\phi}}{\partial \phi}+\frac{\partial A_{z}}{\partial z}

    • 旋度:×A=1ρρ^ρϕ^z^ρϕzAρρAϕAz\nabla\times\boldsymbol{A}=\frac{1}{\rho}\left|\begin{array}{ccc} \hat{\boldsymbol{\rho}} & \rho \hat{\boldsymbol{\phi}} & \hat{\boldsymbol{z}} \\ \frac{\partial}{\partial \rho} & \frac{\partial}{\partial \phi} & \frac{\partial}{\partial z} \\ A_{\rho} & \rho A_{\phi} & A_{z} \end{array}\right|

    • 拉普拉斯算子:2u=1ρρ(ρuρ)+1ρ22uϕ2+2uz2\nabla^{2} u=\frac{1}{\rho} \frac{\partial}{\partial \rho}\left(\rho \frac{\partial u}{\partial \rho}\right)+\frac{1}{\rho^{2}} \frac{\partial^{2} u}{\partial \phi^{2}}+\frac{\partial^{2} u}{\partial z^{2}}

  6. 本构参数

    • 真空中磁导率  μ0\mu_04π×1074\pi \times 10^{-7} (H/m)

    • 真空中的介电常数ε0\varepsilon_0136π×109=8.854×1012\frac{1}{36\pi}\times 10^{-9}=8.854\times 10^{-12} (F/m)

  7. 光是电磁波(光速):c=1ε0μ0=3×108c=\frac{1}{\sqrt{\varepsilon_0 \mu_0}}=3\times 10^8 (m/s)

静电场

  1. 散度定理

vAdv=SAds\int_v \nabla\cdot \boldsymbol{A} \mathrm{d}v=\oint_S \boldsymbol{A}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}

  1. 斯托克斯定理

S×Ads=CAdl\int_S \nabla \times \boldsymbol{A} \cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=\oint_C \boldsymbol{A}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}

  1. 静电学基本公理

    微分形式:

E=ρε0\nabla \cdot \boldsymbol{E}=\frac{\rho}{\varepsilon_0}

×E=0\nabla \times \boldsymbol{E}=0

积分形式:

SEds=Qε0\oint_S \boldsymbol{E}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=\frac{Q}{\varepsilon_0}

CEdl=0\oint_C \boldsymbol{E}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=0

  1. 圆环轴线上的电场强度

E=z^Qz4πε0(z2+a2)3/2\boldsymbol{E}=\hat{z}\frac{Qz}{4\pi \varepsilon_0(z^2+a^2)^{3/2}}

  1. 无限长线电荷的电场强度

E=arρl2πε0r \boldsymbol{E}=\boldsymbol{a}_r\frac{\rho_l}{2\pi \varepsilon_0r}

  1. 电场强度与电位的关系

E=V \boldsymbol{E}=-\nabla V

  1. 分布电荷的电位

V=q4πε0R V=\frac{q}{4\pi \varepsilon_0R}

  1. 多电荷产生的电位

V=14πε0k=1nqkRRkV=\frac{1}{4\pi \varepsilon_0}\sum_{k=1}^n \frac{q_k}{|\boldsymbol{R}-\boldsymbol{R}'_k|}

  1. 导体表面的边界条件

Et=0 E_t=0

En=ρsε0 E_n=\frac{\rho_s}{\varepsilon_0}

  1. 极化电荷密度
    • 束缚电荷面密度:ρps=Pan\rho_{ps}=\boldsymbol{P}\cdot \boldsymbol{a}_n

    • 束缚电荷体密度:ρp=P\rho_p=-\nabla\cdot \boldsymbol{P}

  2. 电通密度(电位移)

D=ε0E+P \boldsymbol{D}=\varepsilon_0\boldsymbol{E}+\boldsymbol{P}

  1. 静电场的边界条件

    切向分量

E1t=E2tE_{1t}=E_{2t}

法向分量

an2(D1D2)=ρs\boldsymbol{a}_{n2}\cdot(\boldsymbol{D}_1-\boldsymbol{D}_2)=\rho_s

  1. 电容器

C=QVC=\frac{Q}{V}

  1. 同轴线电缆的电容

C=QV=2πεLln(ba)C=\frac{Q}{V}=\frac{2\pi \varepsilon L}{ln\left(\frac{b}{a}\right)}

  1. 部分电容

Cii=j=1nβijC_{ii}=\sum_{j=1}^{n}\beta_{ij}

Cij=βij,ijC_{ij}=-\beta_{ij},\,i\not=j

  1. 静电场的能量

We=12k=1NQkVkW_e=\frac{1}{2}\sum_{k=1}^N Q_k V_k

We=12VρVdvW_e=\frac{1}{2}\int_{V'}\rho V \mathrm{d}v

场量表示:

We=12VDEdvW_e=\frac{1}{2}\int_{V'}\boldsymbol{D}\cdot\boldsymbol{E}\mathrm{d}v

  1. 能量密度

we=12DE=12εE2w_e=\frac{1}{2}\boldsymbol{D}\cdot\boldsymbol{E}=\frac{1}{2}\varepsilon E^2

静电场问题的解

  1. 泊松方程

2=ρε \nabla^2=-\frac{\rho}{\varepsilon}

2Vx2+2Vy2+2Vz2=ρε(V/m2) \frac{\partial^2 V}{\partial x^2}+\frac{\partial^2 V}{\partial y^2}+\frac{\partial^2 V}{\partial z^2}=\frac{\rho}{\varepsilon} (\mathrm{V/m}^2)

  1. 拉普拉斯方程

2V=0 \nabla^2 V=0

  1. 唯一性定理:满足给定边界条件泊松方程(拉普拉斯方程是特例)的解唯一

  2. 镜像法:这种利用合适的镜像电荷代替边界面,代替正规的求解泊松方程和拉普拉斯方程的方法叫做镜像法。

  3. 分离变量法

    (1) 边界条件

    (2) 色散条件:kx2+ky2+kz2=0k_x^2+k_y^2+k_z^2=0

    (3) 方程X(x)+kx2X(x)=0X''(x)+k_x^2X(x)=0的解

    方程的解

稳恒电流与静磁场

  1. (体)电流密度

J=Nqv=ρv \boldsymbol{J}=Nq\boldsymbol{v}=\rho \boldsymbol{v}

  1. 总电流

I=SJds=dQdt I=\int_S \boldsymbol{J}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=\frac{\mathrm{d}Q}{\mathrm{d}t}

  1. 欧姆定律(本构关系2)

    J=σE\boldsymbol{J}=\sigma \boldsymbol{E}

  2. 电阻

    R=lσSR=\frac{l}{\sigma S}

  3. 静磁学的两个基本公理

微分形式 积分形式
磁通连续性原理 B=0\nabla\cdot \boldsymbol{B}=0 SBds=0\oint_S \boldsymbol{B}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=0
安培环路定律 ×B=μ0J\nabla\times \boldsymbol{B}=\mu_0 \boldsymbol{J} SBdl=μ0\oint_S \boldsymbol{B}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=\mu_0
  1. 矢量磁位与磁通密度的关系

B=×A \boldsymbol{B}=\nabla\times \boldsymbol{A}

  1. 矢量旋度的旋度公式

××A=(A)2A \nabla \times\nabla\times \boldsymbol{A}=\nabla(\nabla\cdot\boldsymbol{A})-\nabla^2\boldsymbol{A}

  1. 矢量泊松方程

2A=μ0J \nabla^2\boldsymbol{A}=-\mu_0\boldsymbol{J}

  1. 矢量磁位

A=μ04πVJRdv \boldsymbol{A}=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_{V'}\frac{\boldsymbol{J}}{R}\mathrm{d}v'

  1. 磁通量

Φ=SBdsΦ=S(×A)ds=CAdl\begin{aligned} \varPhi=&\int_S \boldsymbol{B}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}\\ \varPhi=&\int_S(\nabla\times \boldsymbol{A})\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=\oint_C \boldsymbol{A}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l} \end{aligned}

  1. 毕奥-萨伐尔定律

B=μ04πVJ×R^R2dv=μ0I4πCdl×R^R2(线电流)=μ04πSJs×R^R2ds(面电流)\begin{aligned} \boldsymbol{B}&=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_{V'}\frac{\boldsymbol{J}'\times \hat{R}}{R^2}\mathrm{d}v'\\ &=\frac{\mu_0I}{4\pi}\oint_{C'}\frac{\mathrm{d}\boldsymbol{l}'\times \hat{R}}{R^2}\text{(线电流)}\\ &=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_{S}\frac{\boldsymbol{J}'_s\times \hat{R}}{R^2}\mathrm{d}s\text{(面电流)} \end{aligned}

  1. 磁偶极子

A=ϕ^μ0Ib24R2sinθ=μ0m×R^4πR2 \boldsymbol{A}=\hat{\phi}\frac{\mu_0Ib^2}{4R^2}\sin \theta =\frac{\mu_0\boldsymbol{m}\times\hat{R}}{4\pi R^2}

  1. 磁场强度

H=Bμ0M=1μB \boldsymbol{H}=\frac{\boldsymbol{B}}{\mu_0}-\boldsymbol{M} =\frac{1}{\mu}{\boldsymbol{B}}

  1. 安培环路定律

积分形式:CHdl=I微分形式:×H=J\begin{aligned} \text{积分形式:}&\oint_C \boldsymbol{H}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=I\\ \text{微分形式:}&\nabla\times \boldsymbol{H}=\boldsymbol{J} \end{aligned}

  1. 本构关系3

B=μ0(1+χm)H=μ0μrH=μH\boldsymbol{B}=\mu_0(1+\chi_m)\boldsymbol{H}=\mu_0\mu_r\boldsymbol{H}=\mu\boldsymbol{H}

  1. 静磁场的边界条件

B法向连续:B1n=B2nH切向不连续:n^×(H1H2)=Js\begin{aligned} \text{$\boldsymbol{B}$法向连续:}&B_{1n}=B_{2n}\\ \text{$\boldsymbol{H}$切向不连续:}&\hat{n}\times(\boldsymbol{H}_1-\boldsymbol{H}_2)=\boldsymbol{J}_s \end{aligned}

  1. 自感

    (1) 对于给定的几何形状选择适当的坐标系。

    (2) 假设导线中的电流为II

    (3) 如果存在对称性,就根据安培环路定理,由IIB\boldsymbol{B}; 如果不存在对称性,就必须用毕奥-萨伐定律求B\boldsymbol{B}

    (4) 用积分方法,由B\boldsymbol{B}求出每一圈所交链的磁通中Φ=SBds\varPhi=\int_S \boldsymbol{B}\cdot\mathrm{d}\boldsymbol{s}。其中SS为面积,在该面积上B\boldsymbol{B}存在且与假设的电流交链。

    (5) 用磁通量Φ\varPhi中乘以匝数,得到回路的磁链Λ\varLambda

    (6) 通过求比率L=ΛIL=\frac{\varLambda}{I}, 从而求出自感LL

  2. 静磁场的能量

Wm=12j=1Nk=1NLjkIjIk=12k=1NIkΦkW_m=\frac{1}{2}\sum_{j=1}^{N}\sum_{k=1}^{N}L_{jk}I_jI_k=\frac{1}{2}\sum_{k=1}^{N}I_k\varPhi_k

场量表示:

Wm=12VAJdv=12VHBdvW_m=\frac{1}{2}\int_{V'}\boldsymbol{A}\cdot\boldsymbol{J}\mathrm{d}v'=\frac{1}{2}\int_{V'}\boldsymbol{H}\cdot\boldsymbol{B}\mathrm{d}v'

  1. 磁能密度

wm=12HB=B22μ=12μH2w_m=\frac{1}{2}\boldsymbol{H}\cdot \boldsymbol{B}=\frac{B^2}{2\mu}=\frac{1}{2}\mu H^2

时变电磁场

  1. 法拉第电磁感应定律

积分形式:CEdl=sBtds微分形式:×E=Bt\begin{aligned} \text{积分形式:}&\oint_C \boldsymbol{E}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=-\int_s \frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}\\ \text{微分形式:}&\nabla\times\boldsymbol{E}=-\frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t} \end{aligned}

  1. 连续性方程

J=ρt\nabla\cdot \boldsymbol{J}=-\frac{\partial \rho}{\partial t}

  1. 麦克斯韦方程

    意义 微分形式 积分形式
    法拉第定律 ×E=Bt\displaystyle\nabla\times \boldsymbol{E}=-\frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t} CEdl=Φt=sBtds\displaystyle\oint_C \boldsymbol{E}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=-\frac{\partial \Phi}{\partial t}=-\int_s \frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}
    安培环路定律 ×H=J+Dt\displaystyle\nabla\times \boldsymbol{H}=\boldsymbol{J}+\frac{\partial \boldsymbol{D}}{\partial t} CHdl=s(J+Dt)ds\displaystyle\oint_C \boldsymbol{H}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{l}=\int_s \left(\boldsymbol{J}+\frac{\partial \boldsymbol{D}}{\partial t}\right)\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}
    高斯定理(导出) D=ρ\nabla\cdot \boldsymbol{D}=\rho sDds=VρdV=Q\displaystyle\oint_s \boldsymbol{D}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s} =\int_V \rho \mathrm{d}V =Q
    磁通连续性原理(导出) B=0\nabla\cdot \boldsymbol{B}=0 SBds=0\displaystyle\oint_S \boldsymbol{B}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=0
    电流连续性方程 J=ρt\displaystyle\nabla\cdot \boldsymbol{J}=-\frac{\partial \rho}{\partial t} sJs=VρtdV\displaystyle\oint_s \boldsymbol{J}\cdot \boldsymbol{s}=-\int_V\frac{\partial \rho}{\partial t} \mathrm{d}V
    洛伦兹力方程 F=qv×B\boldsymbol{F}=q \boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B}
  2. 本构关系

D=εEB=μHJ=σE\begin{aligned} \boldsymbol{D}&=\varepsilon\boldsymbol{E}\\ \boldsymbol{B}&=\mu\boldsymbol{H}\\ \boldsymbol{J}&=\sigma \boldsymbol{E} \end{aligned}

  1. 限定形式的麦克斯韦方程组

×E=μHt×H=J+εEtE=ρεH=0\begin{aligned} &\nabla \times \boldsymbol{E}=-\mu \frac{\partial \boldsymbol{H}}{\partial t} \\ &\nabla \times \boldsymbol{H}=\boldsymbol{J}+\varepsilon \frac{\partial \boldsymbol{E}}{\partial t} \\ &\nabla \cdot \boldsymbol{E}=\frac{\rho}{\varepsilon} \\ &\nabla \cdot \boldsymbol{H}=0 \end{aligned}

  1. 电磁边界条件

    切向分量(分界面上E\boldsymbol{E}的切向分量连续;有面电流时,H\boldsymbol{H}的切向分量不连续)

n^×(E1E2)=0n^×(H1H2)=Js\begin{aligned} \hat{\boldsymbol{n}}\times (\boldsymbol{E}_1-\boldsymbol{E}_2)&=\boldsymbol{0}\\ \hat{\boldsymbol{n}}\times (\boldsymbol{H}_1-\boldsymbol{H}_2)&=\boldsymbol{J}_s \end{aligned}

法向分量

n^(D1D2)=ρsn^(B1B2)=0\begin{aligned} \hat{\boldsymbol{n}}\cdot (\boldsymbol{D}_1-\boldsymbol{D}_2)&=\rho_s\\ \hat{\boldsymbol{n}}\cdot (\boldsymbol{B}_1-\boldsymbol{B}_2)&=0 \end{aligned}

  1. 坡印廷定理------在任意时刻流入闭合面的总功率,等于由这个闭合面所包围的体积内电场储能和磁场储能的增加率与损耗的欧姆功率之和。

s(E×H)dS=V[t(12BH)+t(12DE)+JE]dV=tV(12BH+12DE)dV+VJEdV\begin{aligned} -\oint_{s}(\boldsymbol{E} \times \boldsymbol{H}) \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{S} &=\int_{V}\left[\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{1}{2} \boldsymbol{B} \cdot \boldsymbol{H}\right)+\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{1}{2} \boldsymbol{D} \cdot \boldsymbol{E}\right)+\boldsymbol{J} \cdot \boldsymbol{E}\right] \mathrm{d} V \\ &=\frac{\partial}{\partial t} \int_{V}\left(\frac{1}{2} \boldsymbol{B} \cdot \boldsymbol{H}+\frac{1}{2} \boldsymbol{D} \cdot \boldsymbol{E}\right) \mathrm{d} V+\int_{V} \boldsymbol{J} \cdot \boldsymbol{E} \mathrm{d} V \end{aligned}

一般介质的坡印廷定理

s(E×H)dS=V(HBt+EDt+JE)dV-\oint_{s}(\boldsymbol{E} \times \boldsymbol{H}) \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{S} =\int_V \left(\boldsymbol{H}\cdot\frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t}+\boldsymbol{E}\cdot\frac{\partial \boldsymbol{D}}{\partial t}+\boldsymbol{J} \cdot \boldsymbol{E}\right)\mathrm{d}V

对于电场和磁场能量不增加的系统,即

sSds=P=I2R-\oint_s \boldsymbol{S}\cdot \mathrm{d}\boldsymbol{s}=P=I^2R

  1. 坡印廷矢量

S=E×H\boldsymbol{S}=\boldsymbol{E}\times \boldsymbol{H}

  1. 场量复数形式E˙(x,y,z)\dot{\boldsymbol{E}}(x,y,z)与瞬时值E(x,y,z,t)\boldsymbol{E}(x,y,z,t)的互转

E(x,y,z,t)=[E˙(x,y,z)ejωt]\boldsymbol{E}(x,y,z,t)=\Re\left[\dot{\boldsymbol{E}}(x,y,z)\mathrm{e}^{\mathrm{j}\omega t}\right]

  1. 时谐麦克斯韦方程组

×E=jωμH×H=J+jωεEE=ρεH=0J=jωρ\begin{aligned} &\nabla \times \boldsymbol{E}=-\mathrm{j} \omega \mu \boldsymbol{H} \\ &\nabla \times \boldsymbol{H}=\boldsymbol{J}+\mathrm{j} \omega \varepsilon \boldsymbol{E} \\ &\nabla \cdot \boldsymbol{E}=\frac{\rho}{\varepsilon} \\ &\nabla \cdot \boldsymbol{H}=0 \\ &\nabla \cdot \boldsymbol{J}=-\mathrm{j}\omega \rho \end{aligned}

  1. 亥姆霍兹方程(波数k=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}

2E+ω2μεE=0\nabla^2\boldsymbol{E}+\omega^2\mu\varepsilon\boldsymbol{E}=0

平面电磁波

  1. 无源波动方程

2Eμε2Et2=02Hμε2Ht2=0\begin{aligned} &\nabla^2\boldsymbol{E}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2 \boldsymbol{E}}{\partial t^2}=0\\ &\nabla^2\boldsymbol{H}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2 \boldsymbol{H}}{\partial t^2}=0 \end{aligned}

  1. 平面电磁波基本概念

    • 波阻抗:η=με=ωμk=η0μrεr\eta=\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}}=\frac{\omega\mu}{k}=\eta_0 \sqrt{\frac{\mu_r}{\varepsilon_r}}(本征阻抗η0=μ0ε0=120π\eta_0=\sqrt{\frac{\mu_0}{\varepsilon_0}}=120\pi

    • 相速:vp=ωk=1με=λfv_p=\frac{\omega}{k}=\frac{1}{\sqrt{\mu\varepsilon}}=\lambda f

    • 波长:λ=2πk\lambda=\frac{2\pi}{k}

    • 波数:k=ωμε=2πλk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}=\frac{2\pi}{\lambda}

    • 频率:f=1T=ω2πf=\frac{1}{T}=\frac{\omega}{2\pi}

  2. 复坡印廷矢量

S=12E ⁣× ⁣H=12x^E0ejkz ⁣× ⁣y^H0ejkz=12z^E02η=z^E0m22η\boldsymbol{S}=\dfrac{1}{2} \boldsymbol{E} \!\times\! \boldsymbol{H}^* =\dfrac{1}{2} \hat{\boldsymbol{x}} E_0 \text{e}^{-jkz} \!\times\! \hat{\boldsymbol{y}} H_0^* \text{e}^{jkz} =\dfrac{1}{2} \hat{\boldsymbol{z}} \dfrac{|{E_0}|^2}{\eta} =\hat{\boldsymbol{z}} \dfrac{E_{0m}^2}{2\eta}

对于无耗介质,它的实部为一周期内坡印廷矢量的平均值;如果媒质有损耗,复波印廷矢量将会是一个复数矢量,它的实部恰好等于电磁波在一个周期内的平均功率

Sav=[12E×H]\boldsymbol{S}_{av}=\Re\left[\frac{1}{2}\boldsymbol{E}\times \boldsymbol{H}^*\right]

  1. 任意方向传播的均匀电磁波

E=E0ejkrH=1ηk^ ⁣× ⁣Ek^ ⁣ ⁣E=0k^ ⁣ ⁣H=0\begin{aligned} &\boldsymbol{E}=\boldsymbol{E}_0 \text{e}^{-j \boldsymbol{k}\cdot \boldsymbol{r}}\\ &\boldsymbol{H}=\dfrac{1}{\eta}\hat{\boldsymbol{k}}\!\times\!\boldsymbol{E} \\ &\hat{\boldsymbol{k}}\!\cdot\!\boldsymbol{E}=0\\ &\hat{\boldsymbol{k}}\!\cdot\!\boldsymbol{H}=0 \end{aligned}

  1. 导电介质中平面电磁波的基本概念

    • 复介电常数:εc=εjσω=ε(1jσωε)\varepsilon_c=\varepsilon-j\dfrac{\sigma}{\omega}=\varepsilon(1-j\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon})(损耗角正切:σωε\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}

    • 衰减常数:α=ωμε2(1+(σωε)21)\alpha=\omega \sqrt{\dfrac{\mu\varepsilon}{2}\bigg(\sqrt{1+\Big(\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\Big)^2}-1\bigg)}

    • 相位常数:β=ωμε2(1+(σωε)2+1)\beta= \omega \sqrt{\dfrac{\mu\varepsilon}{2}\bigg(\sqrt{1+\Big(\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\Big)^2}+1\bigg)}

    • 波阻抗:ηc=μεc=με(1jσωε)1/2=ηcejθ\eta_c = \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon_c}} = \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}}\bigg(1-j\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\bigg)^{-1/2} = |{\eta_c}| \text{e}^{j\theta}

  2. 介质及其常数

    介质类型 良电介质 不良导体 良导体
    损耗角正切σωε\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon} 0\approx 0 1\approx 1 1\gg 1
    衰减常数α\alpha σ2με\dfrac{\sigma}{2} \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}} α=ωμε2(1+(σωε)21)\alpha=\omega \sqrt{\dfrac{\mu\varepsilon}{2}\bigg(\sqrt{1+\Big(\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\Big)^2}-1\bigg)} ωμσ2\sqrt{\dfrac{\omega \mu \sigma}{2}}
    相位常数β\beta ωμε\omega \sqrt{\mu\varepsilon} β=ωμε2(1+(σωε)2+1)\beta= \omega \sqrt{\dfrac{\mu\varepsilon}{2}\bigg(\sqrt{1+\Big(\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\Big)^2}+1\bigg)} ωμσ2\sqrt{\dfrac{\omega \mu \sigma}{2}}
    波阻抗η\eta με\sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}} ηc=μεc\eta_c = \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon_c}} ωμσejπ/4=ωμ2σ(1+j)\sqrt{\dfrac{\omega\mu}{\sigma}} \text{e}^{\text{j}\pi/4}= \sqrt{\dfrac{\omega\mu}{2\sigma}} (1+\text{j})
  3. 集肤深度(振幅衰减到表面处的1e\frac{1}{e}

    δ=1α=2ωμσ\delta = \dfrac{1}{\alpha}=\sqrt{\dfrac{2}{\omega\mu\sigma}}

    由振幅比例计算深度

    l=1αlnE0El=\frac{1}{\alpha}\ln\frac{|E_0|}{|E|}

  4. 良导体中的复坡印廷矢量

    S=12E ⁣×H=z^12E02σωμejπ4e2αz\boldsymbol{S} =\dfrac{1}{2} \boldsymbol{E}\!\times\boldsymbol{H}^{*} = \hat{\boldsymbol{z}} \,\dfrac{1}{2} |{E_0}|^2 \sqrt{\dfrac{\sigma}{\omega\mu}} \,\text{e}^{\text{j}\frac{\pi}{4}} \,\text{e}^{-2\alpha z}

z=0z=0此处的平均电磁功率密度,即导体内的传导电流造成的热损耗的时间平均值

Savz=0=P=z^12E02σ2ωμ\boldsymbol{S}_\text{av}|_{z=0} =P= \hat{\boldsymbol{z}} \,\dfrac{1}{2} |{E_0}|^2 \sqrt{\dfrac{\sigma}{2\omega\mu}}

  1. 极化类型

    • 线极化:ϕxϕy=kπ\phi_x-\phi_y=k\pi

    • 圆极化:Exm=Eym=Em, ϕxϕy=±π2E_{xm}=E_{ym}=E_m,\ \phi_x-\phi_y=\pm\frac{\pi}{2}

    • 椭圆极化:ExE_xEyE_yϕx\phi_xϕy\phi_y为任意关系

  2. 极化旋向(迎着来波方向用X手螺旋)

    • ϕxϕy>0\phi_x-\phi_y>0:逆时针-右旋

    • ϕxϕy<0\phi_x-\phi_y<0:顺时针-左旋

  3. 理想导体垂直入射------驻波

    入射波、反射波、合成波

    Ei=x^EioejkzEr=x^EioejkzE1=x^2jEiosin(k1z)\begin{gathered} \boldsymbol{E}_{i}=\hat{\boldsymbol{x}}E_{io}\mathrm{e}^{-\mathrm{j}kz}\\ \boldsymbol{E}_{r}=-\hat{\boldsymbol{x}}E_{io}\mathrm{e}^{\mathrm{j}kz}\\ \boldsymbol{E}_1=-\hat{\boldsymbol{x}}2\mathrm{j}E_{io}\sin(k_1z) \end{gathered}

    理想导体垂直入射参数与性质

    Eio+Ero=0Γ=EroEio=1\begin{gathered} E_{io}+E_{ro}=0\\ \Gamma=\frac{E_{ro}}{E_{io}}=-1 \end{gathered}

  4. 理想介质垂直入射------行驻波
    入射波、反射波、透射波、合成波

    Ei=x^Eioejk1zEr=x^ΓEioejk1zEt=x^TEioejk2zE1=x^Eio(T ejkz+j2Γsin(k1z))\begin{gathered} \boldsymbol{E}_{i}=\hat{\boldsymbol{x}}E_{io}\mathrm{e}^{-\mathrm{j}k_1z}\\ \boldsymbol{E}_{r}=\hat{\boldsymbol{x}}\Gamma E_{io}\mathrm{e}^{\mathrm{j}k_1z}\\ \boldsymbol{E}_{t}=\hat{\boldsymbol{x}}T E_{io}\mathrm{e}^{-\mathrm{j}k_2z}\\ \boldsymbol{E}_1=\hat{\boldsymbol{x}} E_{io}(T\ \mathrm{e}^{-\mathrm{j}k_z}+\mathrm{j}2\Gamma\sin(k_1z))\\ \end{gathered}

    理想介质垂直入射参数与性质

    Γ=EroEio=η2η1η2+η1T=EtoEio=2η2η2+η1\begin{gathered} \Gamma=\frac{E_{ro}}{E_{io}}=\frac{\eta_2-\eta_1}{\eta_2+\eta_1}\\ T=\frac{E_{to}}{E_{io}}=\frac{2\eta_2}{\eta_2+\eta_1} \end{gathered}

    驻波比

    S=EmaxEmin=1+Γ1ΓS=\frac{E_{\max}}{E_{\min}}=\frac{1+|\Gamma|}{1-|\Gamma|}

    平均功率密度矢量

    Sav,i=z^Eio22η1Sav,r=Γ2Sav,iSav,1=(1Γ2)Sav,iSav,t=η1η2T2Sav,i\begin{aligned} &\boldsymbol{S}_{av,i}=\hat{\boldsymbol{z}}\frac{E_{io}^2}{2\eta_1}\\ &\boldsymbol{S}_{av,r}=-|\Gamma|^2\cdot\boldsymbol{S}_{av,i}\\ &\boldsymbol{S}_{av,1}=(1-|\Gamma|^2)\cdot\boldsymbol{S}_{av,i}\\ &\boldsymbol{S}_{av,t}=\frac{\eta_1}{\eta_2}\cdot|T|^2\boldsymbol{S}_{av,i} \end{aligned}

  5. 平面电磁波的斜入射(暂略)

本文标题:电磁场与电磁波公式整理

文章作者:Levitate_

发布时间:2020年07月30日 - 22:48:41

原始链接:https://levitate-qian.github.io/2020/07/31/Formulas-of-Electromagnetic-Field-and-Wave/

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